La Chine s’efforce de développer sa propre mémoire de type HBM (de type mémoire à large bande passante) pour les applications d’intelligence artificielle et de calcul haute performance, selon un rapport du South China Morning Post. ChangXin Memory Technologies (CXMT) serait à l’avant-garde de cette initiative.
HBM est le leader indiscutable en matière de performances, car chaque pile HBM dispose d’une interface mémoire de 1 024 bits et d’un taux de transfert de données décent. En raison de la large interface et de l’empilement vertical, la production de dispositifs HBM ne nécessite pas la lithographie la plus avancée. En fait, on pense que les leaders mondiaux de la DRAM utilisent des technologies éprouvées pour leurs dispositifs de mémoire HBM2E et HBM3.
Ce dont HBM a besoin, ce sont des technologies d’emballage sophistiquées, car la connexion verticale de huit ou douze dispositifs de mémoire à l’aide de minuscules vias en silicium (TSV) est une procédure compliquée. Pourtant, il est plus facile d’assembler un module KGSD (known good stacked die) de type HBM que de produire un dispositif DRAM sur une technologie de processus de classe 10 nm.
Malgré les limitations technologiques imposées par les sanctions, les initiés de l’industrie interrogés par SCMP suggèrent que CXMT pourrait toujours produire sa propre mémoire de type HBM. Mais il reste à voir quelle sera la largeur de l’interface chinoise « HBM » et combien de dispositifs DRAM par module elle pourra empiler.
CXMT est le premier producteur national de DRAM en Chine, à la fois en termes de prouesses technologiques et en termes de capacités de fabrication, c’est donc le meilleur pari de la Chine pour développer un type de mémoire propriétaire conçu pour rivaliser avec le HBM standard de l’industrie en termes de bande passante et de capacité. En raison des sanctions américaines, CXMT et d’autres fabricants chinois de puces sont contraints d’utiliser des technologies de production moins avancées, ce qui les place dans une situation de désavantage concurrentiel à l’échelle mondiale.
Les processeurs IA et GPC sont essentiels pour diverses applications, notamment les véhicules autonomes, l’intelligence artificielle et le calcul haute performance. On comprend donc pourquoi la Chine souhaite construire sa propre mémoire de type HBM. Actuellement, des entreprises comme Biren peuvent obtenir de la mémoire HBM2E auprès des principaux fournisseurs de DRAM, mais si le gouvernement américain restreint l’accès à ce type de mémoire, la seule option de la Chine sera de s’appuyer sur ses propres technologies. En conséquence, le développement d’une mémoire de type HBM fait partie d’un programme national plus vaste visant à devenir autonome dans la technologie des semi-conducteurs.