ULTRARAM est un nouveau type de « mémoire universelle » qui peut dépasser la longévité du stockage flash de votre SSD et correspondre aux vitesses de lecture/écriture de la mémoire système. Mais le tout avec une demande de puissance moindre. C’est un peu le Saint Graal de la mémoire et cela pourrait changer la donne pour l’informatique. Pas étonnant qu’il vient de remporter un prix au Flash Memory Summit.
Cependant, je dois dire qu’ULTRARAM se sent un peu sur le nez si vous me demandez. Mais je me fiche de l’image de marque parce que la technologie est potentiellement très passionnant.
En fait, c’est un type de mémoire qui peut théoriquement être tout pour tous les appareils. Mais, inévitablement, c’est aussi assez compliqué dans sa composition, et c’est dans des moments comme ceux-ci que j’aimerais être beaucoup plus intelligent que je ne le suis. Ils auraient dû envoyer… un ingénieur.
« Notre technologie de mémoire brevetée utilise le tunnel de résonance mécanique quantique », lit-on sur le site ULTRAM, « pour fournir une combinaison inégalée de vitesse, de non-volatilité, d’endurance et d’efficacité énergétique ».
La brochure (avertissement PDF) de la technologie poursuit en expliquant que : « ULTRARAM est une mémoire basée sur la charge qui stocke des données en déplaçant des électrons dans ou hors d’une soi-disant » grille flottante « . L’état de charge de la grille flottante est lire de manière non destructive en mesurant la conductance d’un « canal » sous-jacent. Le dernier composant de la mémoire est la barrière qui agit comme un « verrou » pour retenir les électrons dans la grille flottante pendant la rétention des données. La barrière est déverrouillée pour permettre à la charge de flux lorsque la mémoire est en cours d’écriture ou d’effacement.
La technologie provient de Quinas Technology, une société issue de l’Université de Lancaster au Royaume-Uni, où ULTRARAM a été inventé par le professeur Manus Hayne du département de physique de l’université. Son apparition au Flash Memory Summit est sa première vitrine et on a l’impression qu’elle pourrait ouvrir un tout nouveau monde d’appareils.
Pour le moment, vous disposez soit de la DRAM (ou de la mémoire système) soit de la mémoire flash. Les deux ont des propriétés très différentes et sont donc utilisés pour des choses presque entièrement différentes. La DRAM est super rapide, avec des vitesses de lecture et d’écriture plusieurs fois plus rapides que le SSD le plus rapide, et peut être réécrite pratiquement autant de fois que vous le souhaitez. Mais c’est une mémoire volatile, elle a donc besoin d’une alimentation constante pour maintenir le stockage des données. Dès que l’alimentation est coupée, toutes les informations disparaissent, d’où la raison pour laquelle le mode veille de votre ordinateur portable videra toujours la batterie.
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Et c’est là que la mémoire flash entre en jeu. C’est beaucoup moins cher, beaucoup plus lent, mais elle est persistante et conservera les données pendant longtemps une fois l’alimentation coupée. Bien qu’il ait une cote d’endurance relativement faible, les puces flash s’usent avec le temps et sur un nombre spécifique de cycles.
ULTRARAM promet de remplir les deux fonctions, avec des performances au niveau de la DRAM, tout en consommant beaucoup moins d’énergie. Et il conserverait les données pendant 1 000 ans.
Quinas Technology cite l’application d’ULTRARAM comme quelque chose d’important pour les centres de données, où une énorme quantité d’énergie dont ils ont besoin est absorbée par les besoins de la mémoire, soit en gardant les données en vie dans la mémoire active, soit en les déplaçant entre la mémoire stockée et la mémoire active. Théoriquement, avoir ULTRARAM dans votre centre de données pourrait réduire considérablement les besoins énergétiques de ce secteur.
Mais cela pourrait également avoir d’énormes ramifications dans l’espace des consommateurs. Il n’y aurait plus de mode veille, car vous pourriez conserver l’intégralité de l’instantané de l’état d’un système dans ULTRARAM même hors tension, et redémarrer en un rien de temps en raison de sa vitesse inhérente. Ce serait comme l’hibernation de Windows sans aucun des inconvénients des temps de démarrage lents, et vous pourriez revenir sur votre machine dans mille ans et reprendre théoriquement exactement là où vous vous étiez arrêté pratiquement instantanément.
Je peux imaginer qu’il est énorme pour les ordinateurs portables et les PC de jeu portables, et à peu près n’importe quel autre appareil mobile que vous pouvez imaginer.
De manière peut-être significative, ULTRARAM n’est pas un produit en silicone. L’effet tunnel résonant quantique nécessaire sur lequel il repose se trouve dans les semi-conducteurs composés, tels que l’antimoniure de gallium (GaSb), l’arséniure d’indium (InAs) et l’antimoniure d’aluminium (AlSb) qui composent la conception actuelle de l’ULTRARAM.
La technologie ne fait que commencer et nous ne savons pas quels sont les coûts par rapport à la production de mémoire flash ou de DRAM. Ainsi, ses chances de prendre une bouchée du statu quo établi dépendront de son potentiel de marché de masse. Mais c’est certainement excitant et pourrait avoir un impact réel sur tous nos appareils.