SK Hynix a présenté son premier dispositif 3D NAND comportant 238 couches, le plus grand nombre de couches de l’industrie. Les nouveaux appareils de 512 Go promettent d’être plutôt bon marché et permettront à SK Hynix de construire un stockage à semi-conducteurs peu coûteux. De plus, les produits NAND 3D 512 Go à 238 couches aideront le fabricant de mémoire à apprendre à produire en masse une mémoire flash avec un nombre élevé de couches.
Le premier dispositif NAND 3D de SK Hynix avec 238 couches présente une architecture de cellule à triple niveau (TLC), une capacité de 512 Go (64 Go) ainsi qu’une vitesse d’interface de 2400 MT/s, une augmentation de 50 % par rapport à la NAND phare de la génération précédente du Fabricant sud-coréen. En prime, le nouveau dispositif de mémoire 3D NAND réduit la consommation d’énergie lors des lectures de 21%, ce qui sera un avantage pour les PC mobiles ainsi que les smartphones.
Le circuit intégré présente une conception de flash à trappe de charge (CTF) ainsi que la disposition périphérique sous cellules (PUC) de SK Hynix que la société appelle officiellement NAND « 4D ». Le périphérique sous cellules (PUC) de la société permet de réduire les coûts de la mémoire NAND en rendant les appareils légèrement plus petits.
Officiellement, les dispositifs NAND 3D à 238 couches de SK Hynix sont plus avancés sur le plan technologique que les circuits intégrés NAND 3D à 232 couches de Micron introduits en juillet. Les dispositifs NAND 3D à 232 couches de Micron disposent d’une capacité de 1 Go et offrent donc plus d’espace de stockage par puce et permettent de créer des packages NAND 3D jusqu’à 2 To. Pourtant, SK Hynix affirme que ses produits NAND 3D 1 Go à 238 couches seront lancés dès l’année prochaine.
En fait, les dispositifs NAND 3D 512 Go à 238 couches peuvent présenter certains avantages par rapport aux circuits intégrés NAND 3D 1 Go à 232 couches lorsqu’il s’agit de créer des SSD de milieu de gamme rapides (qui ont toutes les chances d’entrer dans notre liste des meilleurs SSD). Huit dispositifs NAND 3D de 512 Go permettent de construire des disques de 512 Go avec les huit canaux NAND actifs et offrent donc un parallélisme et des performances maximaux possibles à un coût relativement faible.
SK Hynix prévoit de démarrer la production de masse de dispositifs 3D TLC NAND à 238 couches (ou 4D NAND, si vous préférez) au cours du premier semestre 2023. Les nouveaux circuits intégrés de mémoire flash seront initialement utilisés pour les SSD clients, plus tard ils seront adoptés pour les smartphones ainsi que pour les disques de qualité centre de données.