mercredi, novembre 13, 2024

Samsung produira une V-NAND à 300 couches en 2024 : rapport

Samsung Electronics est sur le point d’utiliser une architecture à double pile pour sa mémoire 3D-NAND de 9e génération lorsqu’elle commencera sa production l’année prochaine, selon un rapport de DigiTimes qui cite Quotidien économique de Séoul. Cela distingue Samsung de SK Hynix, qui utilise trois piles de NAND pour construire ses appareils NAND 3D à 321 couches lorsqu’ils entrent en production de masse au premier semestre 2025.

La V-NAND de 9e génération de Samsung avec plus de 300 couches devrait s’appuyer sur la technique de la double pile, que Samsung a adoptée pour la première fois en 2020 avec ses puces NAND 3D à 176 couches de 7e génération. Cette méthode implique la production d’une pile NAND 3D sur une plaquette de 300 mm, puis la construction d’une autre pile au-dessus de la première. La NAND 3D à 300 couches de Samsung augmentera la densité de stockage produite sur une tranche et permettra aux fabricants de construire des SSD à moindre coût ou de rendre les meilleurs SSD moins chers.

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