Samsung a divulgué quelques mises à jour sur ses produits de mémoire de nouvelle génération, y compris la mémoire GDDR7, lors de sa journée annuelle Memory Tech Day à San Jose. Parallèlement au GDDR7, Samsung a annoncé sa mémoire Shinebolt HBM3E, qui est en cours de développement pour les prochains GPU d’IA et de calcul.
La mémoire GDDR7 est en développement depuis un certain temps. Il devrait apparaître dans les cartes graphiques Blackwell RTX série 50 et RDNA 4 RX série 8000 de nouvelle génération. Samsung n’a pas divulgué trop de détails, mais l’une des petites pépites les plus intéressantes a été la révélation d’un objectif de réduction de 50 % de la consommation en veille. Cela contribuera à réduire la consommation d’énergie globale au ralenti et, espérons-le, à la réduire également pour les configurations multi-moniteurs et la lecture vidéo.
La mémoire GDDR7 est configurée pour fonctionner à 1,2 V par rapport à la tension de fonctionnement de 1,35 V des GDDR6 et GDDR6X. En supposant que nous observions des vitesses élevées allant jusqu’à 32 Gbit/s comme prévu, une bande passante totale de 1 To/s est possible sur un bus de 256 bits. Dans le cas d’un bus 384 bits, cette bande passante augmenterait encore de 50 %.
Samsung a précédemment révélé que sa mémoire GDDR7 utiliserait la signalisation PAM3 (modulation d’amplitude d’impulsion) par opposition au PAM4 du GDDR6X. Alors que le PAM4 est mieux adapté aux fréquences plus élevées, le PAM3 est plus facile à mettre en œuvre, ce qui en fait une meilleure option pour les cartes graphiques grand public abordables. Cela explique en partie pourquoi nous n’avons jamais vu de cartes GDDR6X abordables, même si une mémoire plus rapide serait bénéfique si l’on considère les bus mémoire relativement fins des GPU de milieu de gamme de la génération actuelle.
PAM3 offre des taux d’erreur binaires moyens inférieurs, mais étant donné les performances inhérentes plus élevées offertes par GDDR7, PAM4 est considéré comme l’option préférable pour le moment. Bien entendu, cela laisse la porte ouverte à une future norme GDDR7X. Est-ce quelque chose que Micron pourrait avoir dans sa manche ? Nous devrons attendre et voir. Un hypothétique RTX 5090 Ti avec un bus 512 bits et GDDR7X entraînerait une bande passante supérieure à 2 To/s. Cela semble effectivement savoureux, même si le prix d’une telle carte serait excessif, c’est le moins qu’on puisse dire.
Étant donné où nous en sommes dans le cycle de sortie actuel, les cartes équipées de GDDR7 seront sûrement dans un an au mieux. Je m’attendrais à ce que cela soit limité aux cartes haut de gamme. Les cartes d’entrée de gamme de nouvelle génération resteront très probablement fidèles au GDDR6, au moins jusqu’à ce que la fabrication s’accélère réellement et qu’elle devienne suffisamment rentable pour être envisagée.
Samsung a également parlé de sa mémoire HBM3E de nouvelle génération. Même si nous aimerions que la mémoire HBM3E soit incluse dans les cartes graphiques de jeu, son coût et sa complexité l’excluent. Samsung affirme que sa mémoire Shinebolt peut atteindre jusqu’à 9,8 Go/s par broche, ce qui donnerait à une seule pile HBM3E 1,225 Go/s de bande passante. C’est bien supérieur aux 819 Gb/s proposés par HBM3.
Si vous ajoutez plusieurs piles, ces chiffres montent en flèche. Selon les chiffres provenant de notre site sœur Anandtech, un GPU phare pourrait théoriquement contenir 216 Go de mémoire avec une étonnante bande passante de 7,35 To/s. Une RTX 4090 de référence offre un débit de 1 008 Go/s à peine lent en comparaison.
Samsung n’a pas encore précisé s’il produisait en masse du GDDR7, ce qui n’est pas surprenant étant donné qu’il reste au moins un an avant le lancement des cartes GDDR7. Mais il est bon de voir qu’on en parle librement à ce stade, ce qui laisse présager une norme mature qui sera facilement en mesure d’arriver sur le marché en volume lorsque les cartes de nouvelle génération arriveront.