Samsung dévoile un périphérique informatique en mémoire basé sur la MRAM

L’informatique en mémoire est devenue l’une des techniques les plus prometteuses pour réaliser un traitement d’IA basse consommation de nouvelle génération. Les chercheurs ont testé la technologie In-Memory Computing en utilisant la plupart des types disponibles de mémoire non volatile. Cependant, la technologie de mémoire potentiellement la plus complémentaire à cet effet, la MRAM (Magnetorésistive Random Access Memory), n’a pas été viable en raison de sa faible résistance. Les chercheurs de Samsung affirment maintenant avoir démontré avec succès la MRAM pour l’informatique en mémoire à l’aide d’un nouveau réseau crossbar 64 × 64 basé sur des cellules MRAM.

Dr Seungchul Jung, Dr Donhee Ham, Dr Sang Joon Kim (Crédit image : Samsung)

Selon l’article « A crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing », publié mercredi par Nature, l’innovation architecturale clé de l’équipe de recherche de Samsung a été de tester un réseau crossbar 64 × 64 basé sur des cellules MRAM « qui surmonte le problème de faible résistance avec une architecture qui utilise la sommation de résistance pour les opérations de multiplication-accumulation analogiques. » Des démonstrations de la nouvelle technologie de Samsung ont utilisé cette matrice 64 x 64 intégrée à une électronique de lecture en technologie CMOS 28 nm.

(Crédit image : Samsung, Nature)

Les équipes du Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), en étroite collaboration avec Samsung Electronics Foundry Business et Semiconductor R&D Center, ont effectué des tests avec la nouvelle solution MRAM et vérifié ses performances informatiques en IA. Lors des tests, le nouvel appareil a bien fonctionné dans le calcul de l’IA, atteignant une précision de 98 % dans la classification des chiffres écrits à la main et une précision de 93 % dans la détection des visages à partir de scènes.

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