Micron retarde l’EUV RAM jusqu’en 2025 et licencie 10 % de sa main-d’œuvre

Micron a annoncé cette semaine des mesures drastiques de réduction des coûts, qui comprennent une réduction de 10 % des effectifs ainsi qu’une nouvelle baisse des dépenses en capital. En conséquence, la société ralentira la montée en puissance de nouveaux nœuds DRAM, ce qui retardera l’introduction de nœuds de production 1γ (1-gamma), qui utilisent la lithographie ultraviolette extrême (EUV) jusqu’en 2025. Pendant ce temps, la société a commencé l’échantillonnage de 24 Go Périphériques de mémoire DDR5 pour les applications d’entreprise.

Déploiement EUV retardé

Micron est le seul grand fabricant de DRAM qui n’utilise pas la lithographie EUV avec ses derniers procédés de fabrication. Le producteur de mémoire prévoit d’utiliser EUV pour plusieurs couches dans sa technologie de fabrication 1γ, qui devait être introduite dans le courant de 2024. Parce que Micron doit réduire les dépenses en nouveaux équipements au cours des exercices 2023 et 2024 ainsi que réduire les expéditions de bits DRAM dans le prochains trimestres, il devra ralentir la montée en puissance des DRAM sur ses technologies de fabrication 1β et 1γ.

Le dernier nœud de fabrication 1β (1-bêta) de la société, qui augmente la densité de bits de 35 % et améliore l’efficacité énergétique de 15 %, repose uniquement sur l’ultraviolet profond (lithographie DUV). En revanche, Samsung et SK Hynix utilisent déjà des scanners EUV pour plusieurs couches dans leurs technologies de classe 10 nm de 4e génération (1α, 1-alpha) et prévoient d’augmenter leur utilisation avec des nœuds DRAM de classe 10 nm de 5e génération. Mais la société retarde son 1β pour réduire les expéditions de production de bits ainsi que ses CapEx, c’est pourquoi elle retardera également son introduction 1γ.

(Crédit image : Micron)

« Compte tenu de notre décision de ralentir la rampe de production de DRAM 1ß, nous prévoyons que notre introduction 1γ (1-gamma) se fera désormais en 2025 », indique un communiqué de Micron. « De même, notre prochain nœud NAND au-delà de la mémoire NAND 3D à 232 couches sera retardé pour s’aligner sur les nouvelles perspectives de la demande et la croissance de l’offre requise. »

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