Micron a annoncé mardi sa technologie de fabrication 1β (1-beta) de prochaine génération pour DRAM (s’ouvre dans un nouvel onglet) (mémoire vive dynamique). Le nouveau nœud permettra à Micron de réduire les coûts de sa DRAM tout en augmentant son efficacité énergétique et ses performances. 1β (1-beta) sera le dernier processus de production de DRAM de la société qui reposera sur la lithographie dans l’ultraviolet profond (DUV) et n’utilisera pas d’outils dans l’ultraviolet extrême (EUV).
Le processus de fabrication 1β de Micron utilise la porte métallique à haute teneur en K (HKMG) de 2e génération de la société et est censé augmenter la densité de bits d’une matrice de mémoire de 16 Go de 35 % ainsi qu’améliorer l’efficacité énergétique de 15 % par rapport à un dispositif DRAM similaire fabriqué sur le nœud 1α de l’entreprise. La nouvelle technologie de fabrication sera particulièrement utile pour les puces DDR5 et LPDDR5X haute capacité pour les applications mobiles, de serveur et de bureau.
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Contrairement à ses concurrents Samsung et SK Hynix, Micron n’utilise actuellement pas d’outils EUV et doit donc s’appuyer sur diverses techniques de multi-patterns pour continuer à réduire la taille des cellules DRAM.
« Nous avons encouragé l’innovation dans tous les domaines, y compris les techniques de multiplication de motifs de pointe », a déclaré Thy Tran, vice-président de l’intégration des processus DRAM chez Micron. « 1β est également livré avec de nouveaux processus, matériaux et équipements avancés pour faire progresser l’intégration de nos cellules mémoire afin que nous puissions réduire la matrice de cellules mémoire. […] Pour maximiser tous les avantages technologiques et nos innovations de conception, nous redimensionnons également de manière agressive à la fois la hauteur de la cellule mémoire en termes de taille et également le reste des circuits dans la puce pour économiser de l’espace et vous apporter la plus petite matrice possible pour une densité donnée tout en optimiser pour améliorer la puissance et les performances. »
Le premier produit que Micron fabriquera à l’aide de son nœud de pointe sera une mémoire LPDDR5X-8500 de 16 Go, mais l’entreprise finira par utiliser le nœud pour d’autres produits. La puce LPDDR5X de 16 Go est censée offrir des techniques améliorées de contrôle de tension du noyau d’extensions de mise à l’échelle dynamique de la tension et de la fréquence (eDVFSC) pour économiser de l’énergie.
La mémoire LPDDR5X a été conçue non seulement pour les applications mobiles comme les tablettes et les smartphones, mais aussi pour améliorer les performances de diverses applications gourmandes en bande passante comme les systèmes sur puces de classe PC ainsi que les accélérateurs d’intelligence artificielle (IA).
La mémoire LPDDR5X-8500 de 16 Go de Micron ainsi que son processus de fabrication 1β sont prêts pour la production de masse, selon Micron. À l’heure actuelle, la société expédie des échantillons de ses DRAM LPDDR5X-8500 aux parties intéressées et lancera la production de masse de ces circuits intégrés une fois qu’ils auront passé les procédures de qualification.