dimanche, décembre 22, 2024

Les chercheurs de Kioxia font la démonstration de la mémoire flash NAND à cellule hepta, doublant presque la capacité de QLC

Les chercheurs NAND de Kioxia ont démontré avec succès un concept fonctionnel d’une nouvelle architecture de stockage appelée flash NAND à cellules de niveau Hepta. Ce nouveau type de NAND peut héberger jusqu’à 7 bits par cellule, ce qui lui donne près de deux fois la capacité de stockage de la mémoire flash QLC NAND. Si Kioxia peut stabiliser cette architecture de stockage à température ambiante, il pourrait devenir le successeur ultime des disques durs rotatifs dans les applications grand public et d’entreprise.

Pour créer une mémoire flash NAND de niveau hepta, Kioxia utilise une nouvelle conception appelée nouvelle technologie de procédé au silicium pour augmenter la densité cellulaire, en conjonction avec un refroidissement cryogénique. La nouvelle technologie de traitement du silicium remplace les matériaux polysilicium actuels par un silicium monocristallin qui est utilisé dans un canal à l’intérieur d’un transistor de cellule mémoire. Cela réduit apparemment la quantité de bruit de lecture provenant du flash NAND jusqu’à deux tiers. En d’autres termes, la nouvelle technologie de traitement au silicium produit des signaux de lecture plus clairs pour lire les données de la mémoire flash NAND, suffisamment pour augmenter la capacité de la cellule de bits à 7.

(Crédit image : Kioxia)

Kioxia affirme que cette nouvelle architecture de stockage sera également beaucoup moins chère à produire, et a même une solution proposée incorporant un flash de niveau hepta avec refroidissement cryogénique. Ce serait moins cher que les SSD actuels (refroidis par air ou refroidis passivement) sur le marché aujourd’hui.

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