lundi, novembre 25, 2024

Le PDG d’Intel riposte aux rumeurs de retard de 3 nm

Pat Gelsinger, directeur général d’Intel, a répondu cette semaine aux rumeurs selon lesquelles le géant du processeur retarderait les produits fabriqués à l’aide des technologies de fabrication Intel 3 et N3 de TSMC (les deux sont de classe 3 nm). Le PDG a de nouveau souligné que tous les projets 3 nm annoncés jusqu’à présent devaient être publiés en 2024.

« Les programmes 3 nm sont sur la bonne voie, tant avec TSMC qu’avec nos programmes internes Intel 3 Granite Rapids et Sierra Forest en particulier », a déclaré Gelsinger lors de la conférence téléphonique Intel Capital Allocation Update de la société. « Je suis quelque peu étonné par certaines de ces discussions sur les moulins à rumeurs. Vous remarquerez peut-être qu’il y en avait des similaires sur Intel 4 il y a quelques mois, ainsi que sur certains de nos autres programmes TSMC, qui étaient manifestement faux à l’époque également. . »

Jusqu’à présent, Intel a divulgué trois produits destinés à être fabriqués à l’aide de technologies de fabrication de classe 3 nm.

(Crédit image : Intel)

En interne, la société est sur le point de produire ses processeurs Granite Rapids (basés sur des cœurs hautes performances) et Sierra Forest (basés sur des cœurs écoénergétiques) orientés centre de données sur son nœud Intel 3 (anciennement connu sous le nom de 5 nm). Ce processus de fabrication est essentiellement une version raffinée d’Intel 4, mais avec des performances par watt améliorées, des courants d’entraînement plus élevés, une diminution via la résistance et des bibliothèques hautes performances plus denses. Toutes ces fonctionnalités sont particulièrement bénéfiques pour les processeurs de classe centre de données, bien que la réduction via la résistance devrait également être bonne pour les processeurs mobiles. Pendant ce temps, jusqu’à présent, Intel n’a divulgué que deux produits devant être fabriqués en interne sur son nœud de classe 3 nm.

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