lundi, novembre 18, 2024

Le GDDR6W de Samsung double les performances et la capacité

Samsung a présenté (s’ouvre dans un nouvel onglet) son tout nouveau type de mémoire GDDR6 qui double la capacité du package DRAM et augmente la largeur de l’interface pour doubler sa bande passante maximale. Les puces GDDR6W de Samsung utilisent un emballage BGA traditionnel et peuvent être utilisées pour des applications grand public comme les meilleures cartes graphiques.

Les puces GDDR6 et GDDR6X contemporaines intègrent un périphérique DRAM avec une interface 32 bits. En revanche, une puce GDDR6W embarque deux dispositifs DRAM avec et dispose donc de deux interfaces 32 bits, doublant ainsi la capacité (de 16 Go à 32 Go par puce) ainsi que la largeur d’interface (de 32 bits à 64 bits). Pour ce faire, les puces GDDR6W de Samsung utilisent la technologie Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) de la société qui remplace la carte de circuit imprimé traditionnelle par une couche de redistribution (RDL) plus fine et présentant des schémas de câblage nettement plus fins.

(Crédit image : Samsung)

Les appareils GDDR6W de Samsung utilisent généralement les mêmes protocoles que GDDR6 mais offrent des performances et une capacité supérieures. Par exemple, une puce mémoire GDDR6W de 32 Go pourrait fournir une bande passante maximale de 176 Go/s, contre 88 Go/s dans le cas d’une puce SGRAM GDDR6 standard. Pendant ce temps, la construction d’une puce mémoire de 32 Go à l’aide de deux dispositifs de mémoire de 16 Go pourrait être moins chère que la construction d’un dispositif de mémoire monolithique de 32 Go.

Le fabricant de mémoire affirme que l’utilisation de l’emballage FOWLP permet de réduire l’épaisseur de l’emballage GDDR6W à 0,7 mm, contre 1,1 mm dans le cas des puces GDDR6 standard, ce qui facilite leur refroidissement. Alors que le bon sens dit que l’emballage FOWLP est plus cher que l’emballage BGA traditionnel, on ne sait pas dans quelle mesure le premier est plus coûteux que le second. Pourtant, il convient de noter que la GDDR6W de Samsung devrait être moins chère que la mémoire à large bande passante comme HBM2E, à la fois en termes de production et d’utilisation de la pile de mémoire, car la GDDR6W ne nécessite pas l’utilisation d’interposeurs coûteux.

(Crédit image : Samsung)

Pour mettre en contexte les performances annoncées de GDDR6W, Samsung indique qu’un sous-système de mémoire GDDR6W 512 bits (qui utilise huit puces) peut fournir une bande passante au niveau du système allant jusqu’à 1,40 Gbit/s à un taux de transfert de données de 22 Gbit/s. En revanche, un sous-système de mémoire HBM2E 4096 bits offre jusqu’à 1,60 To/s à un taux de transfert de données de 3,2 GT/s mais à un prix considérablement plus élevé.

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