La spécification HBM3 atteint 819 Go/s de bande passante et 64 Go de capacité

L’évolution de la mémoire à bande passante élevée (HBM) se poursuit avec la finalisation et la publication aujourd’hui de la spécification HBM3 par la JEDEC Solid State Technology Association, avec des fonctionnalités exceptionnelles comprenant jusqu’à 819 Go/s de bande passante couplées à jusqu’à 16 piles Hi et 64 Go de capacité.

Nous avons vu des indicateurs révélateurs de ce à quoi s’attendre au cours des mois précédents, avec des nouvelles concernant les développements des sociétés membres du JEDEC dans HBM3. En novembre, nous avons rendu compte d’une démo SK hynix 24 Go HBM3, et Rambus a annoncé son contrôleur PHY et mémoire combiné prêt pour HBM3 avec quelques spécifications détaillées en août, par exemple. Cependant, il est bon de voir que la spécification JEDC est désormais acceptée afin que l’industrie comprenant les fabricants et les utilisateurs de HBM puisse aller de l’avant. De plus, la spécification complète est désormais téléchargeable depuis JEDEC.

(Crédit image : Micron)

Si vous avez suivi la précédente couverture HBM3, vous saurez que la promesse principale de HBM3 est de doubler le débit de données par broche par rapport à HBM2. En effet, la nouvelle spécification précise que HBM3 fournira un débit de données standard de 6,4 Gbps pour 819 GBps de bande passante. Le changement architectural clé derrière cette accélération est le doublement du nombre de canaux de mémoire indépendants à 16. De plus, HBM3 prend en charge deux pseudo canaux par canal pour un support virtuel de 32 canaux.

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