La nouvelle technologie Flash X-NAND double les vitesses d’écriture Flash

La société à l’origine de la mémoire flash X-NAND affirme avoir doublé la vitesse de son stockage pour sa deuxième génération de puces, comme le rapporte Blocks and Files (s’ouvre dans un nouvel onglet), en activant les écritures de données en parallèle. De cette façon, X-NAND peut fournir des niveaux de performances SLC à partir du flash QLC, qui est moins cher et offre des capacités plus importantes.

L’architecture X-NAND de Neo Semiconductor peut être appliquée à toutes les générations de mémoire flash et consiste à diviser chaque plan de la matrice 3D en quatre à 16 sous-plans, chacun accessible en parallèle, en utilisant des tampons de page pour optimiser la vitesse. Génération 2 X-NAND (s’ouvre dans un nouvel onglet) (PDF) prend cette idée et la comprime, en utilisant un plan pour écrire sur un autre, alors qu’avant, il aurait utilisé trois plans pour écrire sur un quatrième. Consultez notre article ici pour une description plus complète du fonctionnement de la technologie.

Source-138