SK Hynix a récemment publié des détails sur son dispositif de mémoire NAND 3D de 8e génération avec plus de 300 couches actives. Les nouveaux dispositifs 3D NAND de la société lui permettront d’augmenter les performances des SSD et de réduire leurs coûts par To lorsqu’ils arriveront entre 2024 et 2025.
Le premier appareil NAND 3D de 8e génération de SK Hynix avec plus de 300 couches sera livré avec une capacité de 1 To (128 Go) avec des cellules à trois niveaux et une densité de bits supérieure à 20 Go/mm^2. De plus, la puce présente une taille de page de 16 Ko, quatre plans, une interface de 2 400 MT/s et un débit maximal de 194 Mo/s (18 % supérieur à la NAND 3D 238 couches de 7e génération). Les E/S à haute vitesse et le débit accru seront particulièrement utiles pour les meilleurs SSD dotés d’un PCIe 5.0 x4 ou d’une interface plus avancée.
Le fait de presque doubler la densité de bits de la nouvelle NAND augmentera considérablement la productivité par tranche du nouveau nœud de fabrication, ce qui réduira les coûts de SK Hynix, bien que l’on ne sache pas dans quelle mesure.
Pour améliorer la conception, SK Hynix a dû mettre en œuvre cinq nouveaux schémas :
- Fonction TPGM (Triple-Verify Program) qui réduit la distribution de la tension de seuil des cellules et réduit le tPROG (temps de programme) de 10 %, ce qui se traduit par des performances supérieures ;
- Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) – une autre procédure pour réduire tPROG d’environ 2 % ;
- Schéma All-Pass Rising (APR) qui réduit tR (temps de lecture) d’environ 2 % et réduit le temps de montée de la ligne de mots ;
- Technique de chaîne fictive programmée (PDS) qui réduit le temps de stabilisation de la ligne mondiale pour tPROG et tR en réduisant la charge de capacité du canal ;
- Capacité de relance de lecture au niveau du plan (PLRR) qui permet de modifier le niveau de lecture d’un plan sans en terminer les autres, émettant ainsi immédiatement des commandes de lecture ultérieures et améliorant la qualité de service (QoS) et donc les performances de lecture.
SK Hynix n’a pas révélé quand il prévoyait de commencer à produire ses dispositifs NAND 3D de 8e génération. Cependant, depuis que la société a divulgué des détails sur cette technologie, il semble que son développement soit terminé ou sur le point de l’être. Pendant ce temps, étant donné que tous les fabricants de mémoire flash ont tendance à ralentir l’adoption de nouveaux nœuds de fabrication pour limiter la sortie de bits NAND, il est peu probable que SK Hynix précipite la production de la NAND 3D 8e génération. Par conséquent, il est rationnel de s’attendre à ce que la nouvelle mémoire soit adoptée en 2024.