Intel présente une nouvelle conception de transistors CFET empilés à l’ITF World

Lors de l’ITF World 2023 à Anvers, en Belgique, Ann Kelleher, directrice générale du développement technologique d’Intel, a présenté un aperçu des derniers développements d’Intel dans plusieurs domaines clés, et l’une des révélations les plus intéressantes était qu’Intel adopterait les transistors CFET empilés à l’avenir. C’est la première fois qu’Intel montre ce nouveau type de transistor dans ses présentations, mais Kelleher n’a pas fourni de date ni de calendrier ferme pour la production.

(Crédit image : matériel de Tom)

Ici, nous pouvons voir une version agrandie de la diapositive avec un anneau ajouté autour du nouveau type de transistor. Les deux premiers types de transistors au bas de la diapositive sont des variantes plus anciennes, tandis que l’entrée « 2024 » représente les nouveaux transistors RibbonFET d’Intel que nous avons largement couverts dans le passé. La conception de première génération d’Intel avec le nœud de processus « Intel 20A » comprend quatre nanofeuilles empilées, chacune entièrement entourée d’une porte. Kelleher dit que cette conception reste sur la bonne voie pour ses débuts en 2024. RibbonFET utilise une conception de porte tout autour (GAA), qui confère à la fois une densité de transistor et des améliorations de performances comme une commutation de transistor plus rapide tout en utilisant le même courant d’entraînement que plusieurs ailettes, mais dans un zone plus petite.

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