NEO Semiconductor, basé à San Jose, a lancé la X-DRAM 3D. Cette technologie DRAM brevetée a pour objectif ambitieux de « résoudre le goulot d’étranglement de la capacité de la DRAM et de remplacer l’ensemble du marché de la DRAM 2D ». Selon les feuilles de route de l’entreprise, l’application de matrices de cellules DRAM de type NAND 3D dans la DRAM fournira des circuits intégrés de mémoire de 1 To d’ici 2030.
Des circuits intégrés de 1 To signifieraient la possibilité d’insérer 2 To sur un seul DIMM avec une relative facilité – des DIMM double face avec huit puces par côté y arriveraient. 4 To utilisant 32 circuits intégrés serait également possible. De toute évidence, c’est plus pour les serveurs que tout ce dont les consommateurs auront probablement besoin au cours des dix prochaines années, et beaucoup se débrouillent encore avec 8 Go ou 16 Go. Notez que les solutions de mémoire actuelles plafonnent à 128 Go par DIMM pour les solutions de serveur DDR4 enregistrées, en utilisant 32 circuits intégrés de 32 Go. Les modules DIMM enregistrés DDR5 facilement disponibles offrent actuellement jusqu’à 64 Go (32 circuits intégrés de 16 Go), bien que des modules de plus grande capacité soient à l’horizon.
Encore une fois, c’est pour la DRAM, pas une sorte de Flash NAND. Mais NEO Semiconductor a développé la technologie 3D X-DRAM en s’inspirant au moins de la 3D NAND. Il utilise ce que l’on prétend être « la première matrice de cellules DRAM de type NAND 3D au monde » pour sa capacité à augmenter l’USP. Il existe cependant des différences essentielles et NEO a déjà demandé les différents brevets pour protéger sa propriété intellectuelle.
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NEO Semiconductor donne un aperçu du fonctionnement de sa nouvelle X-DRAM 3D dans son communiqué de presse. Les nouveaux circuits intégrés de mémoire utiliseront un réseau de cellules DRAM de type NAND 3D, mais nous savons également que la structure est basée sur la technologie des cellules à corps flottant sans condensateur. L’entreprise affirme que ce changement « simplifie les étapes du processus et fournit une solution à haute vitesse, haute densité, à faible coût et à haut rendement ».
Un aspect important contribuant aux chances de succès est que la X-DRAM 3D peut être fabriquée à l’aide de la technologie de fabrication de semi-conducteurs contemporaine. De plus, la société estime que « la technologie X-DRAM 3D peut atteindre une densité de 128 Go avec 230 couches, soit huit fois la densité DRAM actuelle ».
Pour une certaine perspective sur les affirmations de densité de NEO Semiconductor, les circuits intégrés DRAM DDR5 actuels de la plus haute densité de Samsung ont une capacité de 16 Go. La société technologique sud-coréenne, un acteur important à la fois dans la NAND et la DRAM, devrait lancer prochainement des circuits intégrés de 32 Go. Combiné à l’empilement de puces, cela devrait permettre des modules de mémoire de 1 To fin 2023 / début 2024. C’est beaucoup plus tôt que le calendrier de lancement de NEO en 2030, et l’empilement de puces pour la DRAM pourrait aller encore plus loin.