ASML est sur le point de livrer cette année le premier scanner de lithographie à ultraviolets extrêmes (EUV) du secteur avec une ouverture numérique (NA) de 0,55, a déclaré cette semaine le directeur général de l’entreprise. La machine Twinscan EXE:5000 d’ASML sera principalement utilisée à des fins de développement et pour familiariser les clients de l’entreprise avec la nouvelle technologie ainsi que ses capacités. L’utilisation commerciale des outils High-NA est prévue pour 2025 et au-delà.
« Quelques fournisseurs ont eu des difficultés à monter en puissance et à nous fournir le bon niveau de qualité technologique, ce qui a entraîné un certain retard », a déclaré Peter Wennink, directeur général d’ASML, lors d’un entretien avec Reuters. « Mais en fait, la première expédition a lieu cette année.
Cette année, ASML expédiera son scanner Twinscan EXE:5000 à un client non divulgué. Le client sera probablement Intel, car la société a annoncé publiquement son intention d’utiliser des scanners High-NA pour sa technologie de traitement 18A – mais a finalement dû opter pour une solution différente impliquant une double configuration EUV et une mise en forme de motif à l’aide du système Centura Sculpta d’Applied Materials (comme les scanners commerciaux Twinscan EXE:5200 ne seraient disponibles qu’en 2025).
Intel adoptera probablement les outils High-NA d’ASML pour ses technologies de processus post-18A, tandis que ses concurrents TSMC et Samsung les utiliseront plus tard dans cette décennie. Mais ces scanners ne seront pas bon marché. On estime qu’elles pourraient coûter plus de 300 millions de dollars par unité, ce qui augmentera encore les coûts des usines de pointe.
Les scanners EUV contemporains d’ASML avec une NA de 0,33 et une résolution de 13 nm peuvent imprimer des puces avec des pas métalliques d’environ 30 nm avec un motif à exposition unique, ce qui est suffisant pour les nœuds de production comme les classes 5 nm ou 4 nm. Pour tout ce qui est plus fin, les fabricants de puces doivent soit utiliser des techniques de double motif EUV, soit des techniques de mise en forme de motif, ce qu’ils vont faire au cours des deux prochaines années. Mais au-delà de cela, ils prévoient d’utiliser les scanners EUV High-NA de nouvelle génération d’ASML avec un NA de 0,55 et une résolution d’environ 8 nm.
Il est nécessaire de noter que les outils EUV 0,55 NA ne supplanteront pas les équipements actuels à ultraviolet profond (DUV) et EUV dans les usines contemporaines, tout comme l’introduction de l’EUV 0,33 NA n’a pas éliminé progressivement la lithographie DUV. ASML continuera à faire progresser ses scanners DUV et 0,33 NA EUV dans un avenir prévisible. Parallèlement, la lithographie EUV High-NA jouera un rôle central dans la réduction des dimensions des transistors et l’amélioration de leurs performances.