En ce qui concerne les modules de mémoire, il existe généralement un compromis entre performances et capacité. Mais le nouveau concept MCR DIMM introduit jeudi par SK Hynix et Intel promet d’allier performances et capacités extrêmes. Le fabricant de mémoire promet que ses DIMM MCR permettront des taux de transfert de données de plus de 8000 MT/s, tout en offrant des capacités sans précédent.
Les modules DIMM MCR (Multiplexer Combined Ranks) de SK hynix sont des modules de mémoire à double rangée qui font fonctionner les deux rangées simultanément à l’aide d’un tampon spécial. Normalement, les modules à deux rangs physiques fonctionnent comme un seul module, donc lorsque le processeur hôte (ou le contrôleur de mémoire) récupère les données d’un tel module, il ne peut récupérer que 64 octets de données à la fois. Mais le tampon développé par SK hynix, Intel et Renesas permet à deux rangs physiques de fonctionner comme deux modules en parallèle, doublant ainsi les performances en récupérant 128 octets de données des deux rangs en même temps.
La magie de la technologie MCR est que les deux rangées physiques (c’est-à-dire les puces mémoire) d’un module à double rangée continuent de fonctionner à des horloges plus ou moins « standard », ce qui simplifie la construction de modules haute capacité. Pendant ce temps, c’est le tampon du multiplexeur Renesas qui récupère 128 octets de données à partir de deux modules et fonctionne à un taux de transfert de données de 8000 MT/s ou plus avec le contrôleur de mémoire du processeur hôte, simplifiant encore une fois la construction de modules à grande vitesse.
Tous les tampons ont tendance à augmenter la latence et à consommer de l’énergie, ce sont donc les choses qui devront être traitées à la fois au niveau du système et au niveau du module. Pendant ce temps, pour que les DIMM MCR fonctionnent correctement, la technologie doit être prise en charge par le processeur hôte. Il est donc impossible d’intégrer un DIMM MCR dans une machine existante dans l’espoir d’obtenir de meilleures performances et une plus grande capacité.
« Pour des performances stables de MCR DIMM, des interactions fluides entre le tampon de données et le processeur entrant et sortant du module sont essentielles », a déclaré Sungsoo Ryu, responsable de la planification des produits DRAM chez SK hynix.
Intel affirme que ses futurs processeurs Xeon prendront en charge les DIMM MCR, mais il ne divulgue pas quels processeurs prendront en charge la technologie ni quand. Bien que la société aurait travaillé sur cette technologie pendant un certain temps. On peut donc espérer que les bases ont été jetées.
« La technologie proposée est issue d’années de recherche collaborative entre Intel et des partenaires clés de l’industrie pour produire des augmentations significatives de la bande passante livrable pour les processeurs Intel Xeon », a déclaré Dimitrios Ziakas, vice-président de la mémoire et des technologies IO chez Intel. « Nous sommes impatients d’apporter cette technologie aux futurs processeurs Intel Xeon et de soutenir les efforts de normalisation et de développement multigénérationnel dans l’industrie. »
Pour l’instant, MCR DIMM est en grande partie une technologie conceptuelle. SK hynix a confirmé que ses modules DIMM MCR peuvent « fonctionner à un débit de données minimum de 8 GT/s ». SK hynix prévoit de commercialiser le produit, mais ne précise pas quand cela se produira. Considérant que le fabricant de DRAM ne divulgue aucun délai, il est difficile de faire des prédictions sur la capacité des modules DIMM MCR. Mais en gardant à l’esprit les capacités de la SDRAM DDR5 et le fait que les DIMM MCR sont probablement dans au moins quelques années, nous parlons probablement de modules de 1 To à 2 To.