G.Skill atteint la DDR5-10000 sur le refroidissement par air

G.Skill dit avoir franchi une étape importante : la DDR5-10000 sur le refroidissement par air. Cet exploit aux numéros ronds satisfaisants a été réalisé à l’aide d’un seul module de mémoire Trident Z5 refroidi par air et de l’aide matérielle et technique d’Asus.

(Par ailleurs, G.Skill a annoncé aujourd’hui un kit de mémoire Trident Z5 DDR5-8000 32 Go (16 Go x 2) CL40 haute fréquence validé pour une utilisation avec le processeur Intel Core i9-13900K et la carte mère ROG Maximus Z790 Apex d’Asus (BIOS 0702) .)

La réalisation phare de la DDR5-10000 par G.Skill a été réalisée en utilisant uniquement le refroidissement par air utilisé à la fois pour le processeur système et la RAM. Bien que numériquement impressionnante, la DDR5 overclockée ne fera partie d’aucune construction de PC pratique, car elle devait fonctionner avec un seul module de mémoire pour que le système soit suffisamment stable pour valider les performances à l’aide de CPU-Z.

(Crédit image : G.Skill)

Ci-dessus, vous pouvez voir une capture d’écran de la réalisation DDR5-10000, avec CPU-Z affichant l’horloge DRAM à double débit de données à 5 000 MHz. Cela confirme que G.Skill a utilisé l’un de ses modules DDR5-8000 à l’aide de circuits intégrés SK Hynix, qui a ensuite été overclocké en DDR5-10000. Vous pouvez vérifier plus de détails via le lien de validation officiel CPU-Z.

G.Skill a également présenté des kits de mémoire DDR5-8000 CL40 32 Go (2×16 Go) et DDR5-7800 CL38 32 Go (2×16 Go) validés sur un processeur Intel Core i9-13900K et une plate-forme de carte mère Asus ROG Maximus Z790 Apex (BIOS 0702). Il s’agit de la même plate-forme utilisée pour l’exploit DDR5-10000 de G.Skill, mais ici, les kits de mémoire refroidis par air utilisent une paire de modules RAM assortis.

Overclocking de la mémoire G.SKill Trident Z5

(Crédit image : G.Skill)

Selon les tests de G.Skill dans AIDA64, le kit DDR5-8000 a une vitesse de lecture de la bande passante mémoire de plus de 124 Go/s et une vitesse d’écriture de plus de 120 Go/s.

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