samedi, novembre 23, 2024

Kioxia dévoile la mémoire de classe stockage XL-Flash de 2e génération pour les SSD ultra-haut de gamme

Kioxia a présenté sa mémoire de classe de stockage XL-Flash de 2e génération (SCM), qui combine une faible latence, des performances élevées et la capacité de la mémoire flash 3D NAND. Les nouveaux dispositifs de mémoire sont conçus pour les disques SSD ultra haut de gamme ainsi que pour divers dispositifs d’extension de mémoire CXL qui doivent offrir à la fois des performances décentes et une non-volatilité.

Le XL-Flash de 2e génération de Kioxia diffère considérablement des appareils XL-Flash existants. Tout d’abord, le nouveau XL-Flash adopte une architecture de cellule à plusieurs niveaux (MLC) qui stocke deux bits par cellule (2bpc) par opposition au XL-Flash existant qui utilise une architecture de cellule à un seul niveau (SLC). L’utilisation de MLC a permis à Kioxia d’augmenter la capacité d’un seul appareil XL-Flash de 2e génération à 256 Go (32 Go), ce qui lui permet de créer des packages de puces XL-Flash allant jusqu’à 2048 Go (256 Go) en utilisant jusqu’à huit circuits intégrés.

Deuxièmement, comme MLC a une latence plus élevée que SLC, Kioxia a dû augmenter le nombre de plans par appareil pour assurer un parallélisme d’accès plus élevé afin d’augmenter le débit de pointe et de compenser en partie l’augmentation de la latence. Le XL-Flash original utilisait des lignes de bits et des lignes de mots plus courtes pour créer 16 plans par appareil (c’est-à-dire bien plus que deux ou quatre plans utilisés par les appareils 3D NAND contemporains pour les PC clients) dans le but d’améliorer les performances. Quoi qu’il en soit, le nombre de plans par CI XL-Flash de 2e génération est supérieur au nombre de plans par CI XL-Flash de 1re génération (c’est-à-dire plus de 16 plans), il est donc raisonnable de s’attendre à une augmentation de la bande passante par appareil.

(Crédit image : Kioxia)

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